2026第四代半导体氧化镓材料衬底制备难点与器件应用场景筛选
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、氧化镓(β-Ga2O3)第四代半导体材料概述 6
1.1材料基本特性与物理参数 6
1.2国内外技术发展现状与差距 9
二、衬底制备核心工艺技术路线 13
2.1导模法(EFG)生长技术 13
2.2气相传输法(VTP)生长技术 16
三、衬底制备难点深度剖析 18
3.1晶体生长均匀性挑战 18
3.2缺陷控制与良率提升 21
四、衬底加工与后处理技术 25
4.1衬底切割与抛光工艺 25
4.
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