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2013年5月
FDD86250
N沟道栅PowerTrench®
MOSFET
150
V,
50
A,
22
mΩ
特性概述
栅MOSFET技术最大导通电阻
=22该N沟道MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制
mΩ(VGS==10V,
ID==8A)最大导通电造,融合了栅技术。该工艺在优化导通电阻的同时,仍保持卓
阻
=31mΩ(VGS==6V,
ID==6.5A)100越的开关性能。
%
UIL测试通过符合RoHS
应用
直流‑直流转换
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