150V 50A N沟道功率MOSFET特性分析.pdfVIP

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2013年5月

FDD86250

N沟道栅PowerTrench®

MOSFET

150

V,

50

A,

22

mΩ

特性概述

栅MOSFET技术最大导通电阻

=22该N沟道MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制

mΩ(VGS==10V,

ID==8A)最大导通电造,融合了栅技术。该工艺在优化导通电阻的同时,仍保持卓

阻

=31mΩ(VGS==6V,

ID==6.5A)100越的开关性能。

%

UIL测试通过符合RoHS

应用

直流‑直流转换

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