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30V 4.8A双沟道MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-10-06 发布于北京
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30V 4.8A双沟道MOSFET技术手册.pdf

    2012年8月

    FDMB3800N

    双N沟道PowerTrench®

    MOSFET30V,

    4.8A,

    40m

    特性概述

    最大导通电阻

    =40m（当VGS==10V，ID==4.8A时）这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆先进的

    最大导通电阻

    =51m（当VGS==4.5V，ID==4.3A时）快PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越

    速开关速度低栅极电荷高性能沟槽技术实现极低导通电阻开关性能的同时最度降低导通电阻。

    高功率及电流处理能力符合RoHS

    这些器件非常适用于低压和电池供电的应用场景，此时需要较低

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