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碳化硅功率半导体的制造工艺良率提升路径

一、引言

在双碳目标的推动下，新能源汽车、光伏逆变、储能等产业快速发展，对功率半导体的性能提出了更高要求。碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速度快等优势，制备的功率器件可实现更高的开关频率、更低的导通损耗和更好的高温稳定性，是功率半导体升级换代的核心方向。然而，碳化硅功率半导体的制造成本长期居高不下，其中制造良率偏低是最核心的制约因素。相较于成熟的硅基功率器件，碳化硅器件的量产良率仍有较大差距，导致产品价格是同规格硅基器件的数倍，限制了其在更多场景的大规模应用。碳化硅的制造流程长、工艺难度大，良率损耗涉及衬底、外延、器件制造、封装等多个环节，任何一个环节的缺陷都可能导致最终产品失效。因此，系统梳理碳化硅功率半导体制造过程中的良率损耗来源，探索全链条的良率提升路径，对于推动碳化硅产业的规模化发展具有重要的现实意义。

二、碳化硅功率半导体良率损耗的核心来源与分布特征

良率提升的前提是明确损耗的根源与分布规律，碳化硅器件的良率损耗贯穿产业链全流程，不同环节的缺陷类型和影响程度存在显著差异，整体呈现“上游占比高、中下游叠加损耗”的特征。

（一）衬底环节的原生缺陷主导初始良率损失

碳化硅衬底是器件制备的基础载体，其原生缺陷是整个产业链良率损失的最大来源。目前主流的碳化硅衬底制备方法为物理气相传输法，在数千度的