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300V N沟道MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-10-07 发布于北京
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300V N沟道MOSFET技术手册.pdf

    十月

    TM

    UniFET

    FDB38N30U

    N沟道MOSFET，

    U‑FRFET

    300V，38A，0.12Ω

    特性描述

    =0

    •RDS(on)

    .103Ω(典型值)

    @

    VGS

    =10V，ID

    =19A这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild的专有平面条

    纹DMOS技术制造。

    •低栅极电荷（典型值56nC）

    •低Crss（典型值55p

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