原创力文档2026第三代半导体器件对光刻胶性能新要求专题研究
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、第三代半导体器件发展现状与技术路线图 5
1.12026年第三代半导体市场规模与产业布局 5
1.2主流技术路线对比：GaN、SiC、Ga2O3等 9
1.3先进制造工艺对光刻胶性能的驱动需求 12
二、第三代半导体光刻工艺技术特点分析 16
2.1极紫外光刻（EUV）与深紫外光刻（DUV）在宽禁带半导体中的应用 16
2.2高温工艺对光刻胶热稳定性的特殊要求 20
2.3化学放大光刻胶（CAR）在第三代半导体中的适配性研究 2
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