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2026第三代半导体材料制备工艺突破研究.docx

2026第三代半导体材料制备工艺突破研究.docx

    2026第三代半导体材料制备工艺突破研究

    目录

    TOC\o1-3\h\z\u摘要 3

    一、第三代半导体材料制备工艺发展现状与2026年突破背景 5

    1.1第三代半导体材料（SiC、GaN、Ga2O3、金刚石）特性与应用概览 5

    1.2全球及中国第三代半导体材料制备工艺技术成熟度评估 8

    1.32026年制备工艺突破的关键驱动力与行业痛点分析 12

    二、碳化硅（SiC）单晶生长工艺突破研究 15

    2.1物理气相传输法（PVT）向大尺寸、低缺陷密度优化路径 15

    2.2液相法（LPE）与化学气相沉积法（CVD）的产业化潜力对比 17

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