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光刻胶涂布厚度均匀性试验规范

1范围

本规范规定了半导体制造工艺中光刻胶涂布厚度均匀性试验的术语定义、试验原理、试验环境要求、试验设备与材料、试验操作流程、厚度检测方法、均匀性计算规则、数据处理方法及试验报告要求。本规范适用于8英寸、12英寸硅片衬底上正性/负性光刻胶的旋涂工艺均匀性验证，也可适用于玻璃、碳化硅等其他硬质平面衬底的光刻胶涂布均匀性测试，特殊衬底的试验可参考本规范调整相应参数。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T34970-2017半导体制造用光刻胶测试方法SEMIPV22-1015光伏用薄膜厚度均匀性测试标准JJF1527-2015椭偏仪校准规范SEMIG84-0818半导体工艺用硅片平整度测试方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1光刻胶涂布厚度（PhotoresistCoatingThickness）指光刻胶层在衬底表面的垂直高度，单位为纳米（nm），通常包含光刻胶主膜层及底部抗反射涂层（若有）的总厚度，若单独测试光刻胶层厚度需提前剥离底部涂层。3.2片内厚度均匀性（Within-WaferUniformity,WIW）指单片衬底表面多个测试点的光刻胶厚度的离散程度，通