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高性能沟道MOSFET器件特性与应用.pdf

高性能沟道MOSFET器件特性与应用.pdf

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    飞兆

    FQB44N10

    /

    FQI44N10

    N沟道QFET

    MOSFET

    100

    V，43.5

    A，39

    mΩ

    描述

    这款N沟道增强模式功率MOSFET采用Fairchild

    Semiconductor®专有的平面条纹和

    DMOS技术制造。该先进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，并优越的开关

    性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、

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