华为半导体测试(ATE_芯片测试)笔试+面试真题(回忆版,含实操答案).docxVIP

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  • 2026-10-12 发布于河北
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华为半导体测试(ATE_芯片测试)笔试+面试真题(回忆版,含实操答案).docx

华为半导体测试(ATE/芯片测试)笔试+面试真题(回忆版,含实操答案)

华为半导体测试(ATE/芯片测试)笔试+面试真题(回忆版,含实操答案)

一、笔试客观题(单选+判断,附答案+解析)

单选题

半导体ATE测试中,DC参数测试不包含以下哪一项()

A.Voh/VolB.Iih/IilC.fmaxD.Iddq

答案:C

解析:fmax最大工作频率属于AC动态参数;DC是静态直流参数,高低电平、输入漏电流、静态功耗电流。

固定型故障Stuck-at-1含义是()

A.节点恒为0B.节点恒为1C.节点短路到电源D.时序故障

答案:B

解析:Stuck-at0:节点固定0;Stuck-at1:节点固定1,是ATPG最基础故障模型。

WaferTest(晶圆测试)的核心目的是()

A.封装后筛选不良B.封装前筛除坏die,节约封装成本

C.可靠性老化测试D.芯片系统功能验证

答案:B

解析:WaferTest(CP测试):划片封装前,在晶圆上测试,挑出坏芯粒,不封装坏die;FT是封装后终测。

Iddq测试针对哪类缺陷()

A.时序延迟故障B.桥接短路、栅氧化层漏电

C.功能逻辑错误D.存储器读写错误

答案:B

解析:Iddq静态漏电流测试,电路静态无翻转时电源漏电,检测

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