CN119224658A Mems磁场传感器及其制作方法 (珠海多创科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-10-10 发布于重庆
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CN119224658A Mems磁场传感器及其制作方法 (珠海多创科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119224658A

(43)申请公布日2024.12.31

(21)申请号202411467632.9

(22)申请日2024.10.21

(71)申请人珠海多创科技有限公司

地址519000广东省珠海市高新区唐家湾

镇科技七路1号4栋5层厂房501室

(72)发明人关蒙萌胡忠强

(74)专利代理机构深圳市恒程创新知识产权代

理有限公司44542

专利代理师许会娟

(51)Int.Cl.

G01R33/02(2006.01)

G01R33/00(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图7页

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