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氮化镓HEMT器件理论概述

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TOC\o1-2\h\u656氮化镓HEMT器件理论概述 1

137131.1氮化镓材料特性 1

66121.2氮化镓HEMT器件机理 2

47121.3二端口微波网络参数 5

1.1氮化镓材料特性

氮化镓晶体以纤锌矿、闪锌矿、盐矿三种不同的晶体结构存在，其热力学稳定结构为纤锌矿[38]。晶格能是将一摩尔化合物分离成气态离子所需要的能量，带有较高电荷和较短距离的离子具有较高的晶格能，材料稳定性越高，这是衡量化合物稳定性的一个重要指标。氮化镓材料原子间的键长比硅硅键长要小得多，因此相比硅来说，氮化镓晶格能更高，因而稳定性更高。

具有纤锌矿晶体结构的GaN与Si、SiC和GaAs相比的材料性能如表2-1所示。相比之下，第二代半导体砷化镓的电子饱和速度与电子迁移率明显优于第一代单晶半导体硅，除此之外，砷化镓晶体管具有低噪声、高线性、高效率的优势，但是砷化镓材料击穿电场和热导率不高，第三代半导体GaN和SiC具有宽禁带、电子饱和速度高、击穿电场高等优势，在高频大功率领域具有更大的潜力。而有研究表明，SiC场效应管更适合在7GHz以下工作频率[38]，而对于GaNHEMT来说，由于其在异质结构之间二维电子气(2DEG)的存在，使其具有更高的电子迁移率和电子饱和速度，更