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2026年集成电路设计与应用模拟试题

一、单选题（共10题，每题2分，合计20分）

1.在65nm工艺下，逻辑门延迟与以下哪个因素成正比？

A.门电容

B.互连延迟

C.工作电压

D.以上都是

正确答案：D

解析：逻辑门延迟由门电容充电时间（与门电容成正比）、互连延迟（与互连长度和电阻成正比）以及工作电压（与电压成反比）共同决定，因此选项D正确。

2.ARMCortex-M系列处理器中，哪项特性最适合低功耗嵌入式应用？

A.高主频

B.多核支持

C.低功耗模式（Sleep/Standby）

D.高性能缓存

正确答案：C

解析：Cortex-M系列设计注重低功耗，支持多种省电模式，适用于电池供电的嵌入式设备。

3.在FPGA设计中，以下哪种资源利用率优化方法最适用于时序敏感的逻辑？

答案：D