高热流密度时代，金刚石散热加速迈向产业化.docxVIP

1

高热流密度时代，金刚石散热加速迈向产业化

电子

证券研究报告

投资评级:看好（维持）

最近12月市场表现

电子

电子沪深300

79%

61%

42%

23%

5%

-14%

相关报告

1.《看好空白掩膜版与掩膜版的技术通胀和国产替代》2026-09-22

2.《招股说明书梳理系列（三）：高凯技术》2026-09-22

3.《芯片近端散热瓶颈凸显，金刚石方案加速商业化》2026-09-21

行业深度分析报告/2026.09.29

金刚石散热

核心观点

AI芯片功耗攀升叠加热点散热压力持续提升，金刚石突破传统散热材料瓶颈：GPU功耗由A100约400W升至VeraRubin约2300W，芯片局部热流密度高度集中，热点区域面临更高峰值散热需求；同时，2.5D/3D封装进一步抬升单位面积热负荷并延长内部传热路径，对近端均热与导热材料提出更高要求。传统铜、铝等散热材料在导热能力与热膨胀匹配方面逼近物理上限，金刚石热导率可达2000-2200W/(m·K)，并兼具低热膨胀与电绝缘特性，适配高热流密度芯片近端散热需求。

金刚石可沿芯片至系统级散热链路多层渗透，六条技术路线对应不同集成深度与产业化阶段。金刚石并非对应单一散热部件，而可通过复合材料、热沉、器件集成及微通道等形态进入不同