2026第三代半导体器件封装技术升级与产能扩张规划报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、第三代半导体器件封装技术概述与2026发展趋势 5
1.1第三代半导体(SiC/GaN)材料特性与封装挑战 5
1.22026年技术升级的核心驱动因素(功率密度、高频、高温) 9
1.3全球及中国第三代半导体封装技术发展现状 12
二、SiC功率器件先进封装技术路径研究 17
2.1铜烧结与银烧结互连技术的产业化进展 17
2.2双面散热(Double-SidedCooling)封装架构 20
三、GaN功率器件封装技术突破
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