《次离子质谱基于多δ层参考物质的硅深度校准方法》.pptxVIP

基于多δ层参考物质的硅深度校准方法

1范围

1.1本国际标准规定了一种在硅材料的SIMS深度剖析中，利用多重δ层参考材料对浅层区域（小于50nm）进行深度标校准的程序。

1.2本国际标准不适用于溅射速率尚未达到稳态的表面瞬态（过渡？变化？）区域。

1.3本国际标准适用于单晶硅、多晶硅和非晶硅。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

ISO18115表面化学分析——术语（Surfacechemicalanalysis—Vocabulary）

ISO20341表面化学分析——二次离子质谱法——利用多重δ层参考材料估算深度分辨参数的方法（Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodforestimatingdepthresolutionparameterswithmultipledelta-layerreferencematerials）

3术语和定义

ISO18115-1:2023界定的术语和定义适用于本文件。

4符号和缩略语

a回归直线的截距

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