CN119486403A 改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 (京东方华灿光电(苏州)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-10-13 发布于重庆
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CN119486403A 改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 (京东方华灿光电(苏州)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486403A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411435985.0

(22)申请日2024.10.15

(71)申请人京东方华灿光电(苏州)有限公司

地址215600江苏省苏州市张家港市经济

开发区晨丰公路28号

(72)发明人兰叶王江波朱广敏吴志浩

张威

(74)专利代理机构北京三高永信知识产权代理

有限责任公司11138

专利代理师吕耀萍

(51)Int.Cl.

H10H20/819(2025.01)

H10H20/01(2025.01)

H10H20/831(2025.01)

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