N沟道双面冷却屏蔽栅极MOSFET特性与应用.pdfVIP

2013年7月

FDMS86101DC

N沟道

Dual

Cool™

栅极

PowerTrench®

MOSFET

100伏特，60安培，7.5毫Ω

特性概述

栅极MOSFET技术Dual

CoolTM顶部散热这款N沟道MOSFET采用飞兆（Fairchild

PQFN封装最大导通电阻{rDS(on)}

=7.5

毫欧Ω（Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融合

VGS==10V,

ID==14.5

A）最大导通电阻{rDS(on)}

了栅极技术。硅片技术与Dual

CoolTM封装技术的进步相结

=12毫欧Ω（VGS==6V,

ID==11.