40V 100A N沟道MOSFET技术规格与应用指南.pdfVIP

表

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表、th、td

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FDA8440

N沟道逻辑电平PowerTrench®

MOSFET

40

V，100

A，2.1

mΩ

特性

•导通电阻RsubD(S)/sub

= 1.46毫欧（典型值）@

VsubG(S)/sub

= 10∨，IsubD/sub

= 80安

•总栅极电荷QsubG(tot)/sub

=345纳库（典型值）@

VsubGS/sub

=10伏

•低米勒充电量

•低Qrr体二极管

•UIS能力（和重复脉冲）

•1602秒保证

•符合RoHS

应用

•电动工具

•电机驱动和不间断电源

•同步整流

•电池保护电路

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FDA8440

N-ChannelLogicLevelPowerTrench®

MOSFET40V,100A,2.1mΩ

Features

•R  1.46mΩ(Typ.)@V  10∨, I  80A