基于等离子增强技术石墨衬底上低温制备GaN薄膜及其性能的实验研究.pptx

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目录

01

研究背景与科学意义

02

实验方法与技术路线

03

工艺参数对薄膜生长的影响机制

04

薄膜结构与物理性能的综合表征

05

应用前景与研究展望

研究背景与科学意义

01

氮化镓作为第三代宽禁带半导体的核心地位日益凸显

01

宽禁带优势

氮化镓具有3.39eV的宽禁带，显著优于硅和砷化镓，可承受更高电压与温度。这一特性使其在高功率、高频电子器件中表现卓越，成为第三代半导体的核心材料。

02

光电应用广

GaN覆盖从近红外到紫外的光谱响应范围，广泛应用于LED、激光器及紫外探测器。其优异的光电性能推动了固态照明与5G通信等战略性产业的快速发展。

03

器件性能优

GaN