SEMI F63-2023（俗称F109）中文版：12英寸晶圆制造用超纯水痕量金属控制标准.docxVIP

SEMIF63-2023（俗称F109）中文版：12英寸晶圆制造用超纯水痕量金属控制标准

重要前置说明：SEMI官方并无SEMIF109-2023这个标准编号，半导体12英寸（300mm）晶圆制造超纯水UPW痕量金属对应的SEMI权威标准为SEMIF63《GuideforUltrapureWaterUsedinSemiconductorProcessing（半导体加工用超纯水指南）》，2023版更新，行业很多人误记为F109。

SEMI标准为付费版权文档，不存在官方中文版；下面为工程应用中文版编译稿（适配12英寸先进制程，可直接用于工厂SOP、可研、招标文件）。

第1章范围

1.1本指南规定12英寸（300mm）集成电路晶圆制造前道湿法工艺使用超纯水（UPW）的痕量金属杂质指标、采样、检测、系统污染控制、运行监控要求，覆盖晶圆清洗、光刻后冲洗、化学稀释等全部湿法工序。

1.2适用对象：300mm晶圆厂超纯水制备系统、输送分配管网、终端使用点（POU）。同时包含热超纯水HUPW。

1.3本标准为行业推荐性指南，指标根据器件节点区分，12英寸先进逻辑/DRAM制程执行最严格痕量金属限值。

第2章术语与定义

超纯水UPW：经多级反渗透、EDI、离子交换、TOC降解、脱气、超滤制备，满足半导体晶圆制造的高纯度水。

痕量金属（可溶性金属杂质）：水中溶解态金属