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安徽科技学院教务处制

基于电子束光刻T型栅工艺设计

摘要：随着氮化镓射频器件工作条件的的范围越来越高，当前器件尺寸与原始尺寸相比变得越来越小，器件制造的核心工艺难点之一便是光刻工艺技术。当线条尺寸减小到0.5um以下时，当前器件制作黄光工艺中的步进式光刻机已经不能满足高分辨率的工艺要求。本文讲解了非常有发展前景的纳米光刻技术，即电子束光刻技术。首先电子束光刻机的分辨率可以做到非常高，此技术的出现可以更大程度的改善纳米线宽的制造工艺。在制作集成电路过程中，整个制造工艺最重要的技术之一便是电子束光刻。电子束光刻是推动器件尺寸缩减的过程当中非常重要的一步，决定了线宽的大