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CN119372698A 一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极及制备方法 （江南大学）.pdfVIP

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  • 2026-10-16 发布于重庆
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CN119372698A 一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极及制备方法 （江南大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119372698A

    (43)申请公布日2025.01.28

    (21)申请号202411482216.6C25B11/053(2021.01)

    C25B11/059(2021.01)

    (22)申请日2024.10.23

    (71)申请人江南大学

    地址214000江苏省无锡市新吴区净慧东

    道66号(江南大学国家大学科技园)

    (72)发明人陈治伟时文祥王鑫雨李威

    李淼涛尤杰刘璋成王霄

    李杨敖金平

    (74)专利代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权

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