CN119368510A 半导体氮化设备腔体清洁工艺 (上海稷以科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-10-16 发布于重庆
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CN119368510A 半导体氮化设备腔体清洁工艺 (上海稷以科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119368510A

(43)申请公布日2025.01.28

(21)申请号202411501824.7

(22)申请日2024.10.25

(71)申请人上海稷以科技有限公司

地址200241上海市闵行区东川路555号戊

楼4026室

(72)发明人杨平

(74)专利代理机构上海邦德专利代理事务所

(普通合伙)31312

专利代理师孟丽娜

(51)Int.Cl.

B08B7/00(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

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