CN119403168A 基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法 (杭州电子科技大学).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.13万字
  • 约 12页
  • 2026-10-17 发布于重庆
  • 举报

CN119403168A 基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法 (杭州电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403168A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411503528.0

(22)申请日2024.10.25

(71)申请人杭州电子科技大学

地址310018浙江省杭州市钱塘区白杨街

道2号大街1158号

(72)发明人王颖谢豪杰刘军于成浩

(74)专利代理机构杭州君度专利代理事务所

(特殊普通合伙)33240

专利代理师张晨曦

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档