2026年电子学微电子器件电路设计试题及答案
一、选择题(每题2分,共20分)
1.关于PN结的叙述,正确的是:
A.PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的
B.PN结在正向偏置时呈现高电阻
C.PN结的反向饱和电流与温度无关
D.PN结的击穿电压与掺杂浓度成正比
2.MOSFET的阈值电压主要取决于:
A.栅氧化层厚度
B.衬底掺杂浓度
C.栅材料功函数
D.以上都是
3.关于CMOS反相器的静态特性,正确的是:
A.CMOS反相器在逻辑高和逻辑低状态下都有静态功耗
B.CMOS反相器的噪声容限与电
原创力文档

文档评论(0)