CN119383999A 碳化硅器件及其制备方法 (上海积塔半导体有限公司).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.14万字
  • 约 10页
  • 2026-10-17 发布于重庆
  • 举报

CN119383999A 碳化硅器件及其制备方法 (上海积塔半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119383999A

(43)申请公布日2025.01.28

(21)申请号202411488392.0

(22)申请日2024.10.23

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区临港新片区云水路

600号

(72)发明人吴贤勇刘胜北花芯贺中鹤

(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务

所(普通合伙)31294

专利代理师赵娟娟

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H01L23/367(2006.01)

H01L23/373(2006.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档