半导体超薄外延层生长质量控制考核试卷.docVIP

半导体超薄外延层生长质量控制考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.超薄外延层生长过程中，以下哪种气体通常不作为反应气体使用？

A.氢气

B.氮气

C.氩气

D.氧气

2.在MOCVD外延生长中，哪种物质常被用作III族元素源？

A.SiH4

B.GaH3

C.PH3

D.AsH3

3.外延层厚度控制的精度通常要求达到？

A.微米级

B.纳米级

C.毫米级

D.皮米级

4.外延生长过程中，哪一种缺陷最常见？

A.位错

B.空位

C.点缺陷

D.位错和空位

5.以下哪种方法不适用于外延层缺陷的检测？

A.X射线衍射

B.扫描电子显微镜

C.原子力显微镜

D.光学显微镜

6.外延层生长