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2026年电子学集成电路模拟电路试卷及答案.docx

2026年电子学集成电路模拟电路试卷及答案.docx

    2026年电子学集成电路模拟电路试卷及答案

    一、选择题（30分，每题2分，共15题）

    1.关于PN结的形成，下列说法正确的是：

    A.P型半导体和N型半导体直接接触形成

    B.通过扩散工艺在半导体中形成P区和N区

    C.通过离子注入形成

    D.通过外电场作用形成

    2.在BJT中，当发射结正偏、集电结反偏时，晶体管工作在：

    A.截止区

    B.放大区

    C.饱和区

    D.击穿区

    3.MOSFET中，增强型NMOS的开启电压取决于：

    A.栅极电压

    B.漏极电压

    C.源极电压

    D.衬底电压

    4.关于理想运放，下

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