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2026年电子技术基础评估测试试卷及答案.docx

2026年电子技术基础评估测试试卷及答案.docx

    2026年电子技术基础评估测试试卷及答案

    一、选择题（共20题，每题3分，共60分）

    1.在PN结中，耗尽区的形成是由于：

    A.电子和空穴的扩散

    B.电场的作用

    C.杂质离子的分布

    D.温度变化

    2.二极管的正向导通电压约为：

    A.0.1V-0.3V

    B.0.5V-0.7V

    C.1V-1.5V

    D.2V-3V

    3.双极结型晶体管(BJT)工作在放大区时，发射结和集电结的偏置状态是：

    A.发射结正偏，集电结反偏

    B.发射结反偏，集电结正偏

    C.两个结都正偏

    D.两个结都反偏

    4.场效应管(F

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