content目录01研究背景与科学意义02理论基础与计算方法03未掺杂Mg?Si的本征特性分析04Nd掺杂对电子结构的调控机制05光学性质的演变规律与物理机制06综合讨论与应用前景展望
研究背景与科学意义01
Mg?Si作为环境友好型半导体材料在光电器件与热电转换中的应用潜力日益凸显环保材料Mg?Si由轻质无毒元素构成,具备低环境负荷特性,符合绿色电子发展趋势,在可持续能源器件中展现广阔前景。光电潜力其间接带隙结构与适宜带宽利于光吸收调控,适用于红外探测器与太阳能电池等光电器件的功能层设计。热电优势Mg?Si具有高塞贝克系数和低热导率潜力,是高效热电转换材料的理想候选,可用于废热回收系统。应
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