原创力文档K4X1G163PC-L(F)E/G移动DDR
SDRAM
64Mx16移动DDRSDRAM
1.
特性
•VDD/VDDQ
=10.8V/1.8V
•双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
•双向数据选通(DQS)
•四银行操作
•差分时钟输入(CK和CK)
•通过地址键编程的MRS周期
‑
CAS延迟
（3）‑
长度（2、4、8、16）‑
类型（顺序与交错）
•通过地址键编程的EMRS周期
‑
部分数组自刷
K4X1G163PC-L(F)E/G移动DDR
SDRAM
64Mx16移动DDRSDRAM
1.
特性
•VDD/VDDQ
=10.8V/1.8V
•双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
•双向数据选通(DQS)
•四银行操作
•差分时钟输入(CK和CK)
•通过地址键编程的MRS周期
‑
CAS延迟
（3）‑
长度（2、4、8、16）‑
类型（顺序与交错）
•通过地址键编程的EMRS周期
‑
部分数组自刷
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