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2026年电子学微电子器件制造试题及答案

一、选择题（每题2分，共30分）

1.在硅晶体中，室温下本征载流子浓度约为：

A.1×10^10cm^-3

B.1×10^12cm^-3

C.1×10^14cm^-3

D.1×10^16cm^-3

2.下列哪种掺杂元素在硅中形成n型半导体？

A.硼

B.磷

C.铝

D.镓

3.光刻工艺中，光源波长越短，能够实现的分辨率：

A.越低

B.越高

C.不变

D.随显影条件变化

4.在CMOS工艺中，阱区形成的主要目的是：

A.提高晶体管速度

B.控制阈值电压

C.隔离不同器件

D.减少漏电流

5.下列哪种薄膜沉积技术适合制备高深宽比的沟槽填充？

A.热氧化

B.物理气相沉积

C.化学气相沉积

D.原子层沉积

6.离子注入后的退火工艺主要是为了：

A.去除注入损伤

B.激活掺杂原子

C.降低表面粗糙度

D.提高薄膜附着力

7.在双极晶体管中，基区宽度对电流增益的影响是：

A.基区越宽，电流增益越大

B.基区越宽，电流增益越小

C.基区宽度不影响电流增益

D.基区宽度与电流增益呈非线性关系

8.下列哪种刻