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- 2026-10-20 发布于浙江
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ICS31.080.30
CCSL44
团体标准
T/CASAS046—2025
代替T/CASAS046—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
(SiCMOSFET)动态反偏(DRB)试验方法
Dynamicreversebias(DRB)testmethodforsiliconcarbidemetal-
oxidesemiconductorfiledeffecttransistor(SiCMOSFET)
2025-12-30发布2025-12-30实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
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