T∕CASAS 046-2025 SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法.pdfVIP

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T∕CASAS 046-2025 SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法.pdf

ICS31.080.30

CCSL44

团体标准

T/CASAS046—2025

代替T/CASAS046—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)动态反偏(DRB)试验方法

Dynamicreversebias(DRB)testmethodforsiliconcarbidemetal-

oxidesemiconductorfiledeffecttransistor(SiCMOSFET)

2025-12-30发布2025-12-30实施

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