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KS L ISO 5618-2-2026 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）——氮化镓晶体表面缺陷试验方法 第2部分：蚀坑密度测定方法 标准立项发展报告.docx

KS L ISO 5618-2-2026 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）——氮化镓晶体表面缺陷试验方法 第2部分：蚀坑密度测定方法 标准立项发展报告.docx

    精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）——氮化镓晶体表面缺陷试验方法第2部分：蚀坑密度测定方法标准立项发展报告

    StandardizationDevelopmentReport:FineCeramics(AdvancedCeramics,AdvancedTechnicalCeramics)—TestMethodforGaNCrystalSurfaceDefects—Part2:MethodforDeterminingEtchPitDensity

    摘要

    氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，在功率电子器件、射频器件及光电器件等领

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