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GaN激光器二极管概述

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TOC\o1-3\h\u15404GaN激光器二极管概述 1

220071.1GaN激光器二极管的应用 1

272841.2GaN基激光器的发光原理 4

157291.3GaN基激光器的可靠性 5

以GaN为主的第三代宽禁带半导体材料，尤其是Ⅲ族氮化物半导体GaN、A1N、InN及其三元四元合金化合物具有临界击穿电压高、介电常数小、抗辐射能力强、电子迁移率高和化学稳定性好等优良的物理和化学性质，因此在发光二极管（LED）、激光二极管(LD)、紫外探测器(UVD)等方面有着广泛应用REF_Re\r\h[57]。随着GaN外延晶体质量和p型掺杂技术两大难题的突破，研究开发III-V族氮化物发光器件、电子器件得到了飞跃性进展。目前研究人员对于AlInGaN体系投入了较多关注，通过改变合金中的In组分和Al组分，其禁带宽度从0.7eV(InN)到3.4eV(GaN)再到6.2eV(AlN)连续可调，可实现深紫外、近紫外、可见光乃至近红外等整个太阳光谱的发光，因此在光电器件领域有着广泛的应用。

GaN基激光器作为半导体界众人瞩目的光电器件，可应用于激光存储、激光打印、激光投影、汽车头灯照明、激光通信、激光医疗等领域，特别是激光照明领域，具有广阔的应用前景。

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