SJT 12071-2025 半导体器件分立器件碳化硅二极管门类规范 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件分立器件碳化硅二极管门类规范标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:GenericSpecificationforDiscreteSemiconductorDevices—SiliconCarbideDiodes

摘要

随着第三代半导体材料技术的快速发展，碳化硅（SiC）二极管凭借其高击穿电场强度、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异特性，在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通及工业电源等领域得到广泛应用。然而，在SJ/T12071-2025发布之前，国内缺乏针对碳化硅二极管分立器件的统一门类规范，导致产品性能评价标准不一、互换性差、市场秩序亟待规范。本标准由工业和信息化部批准立项，规定了碳化硅二极管分立器件的术语和定义、分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等内容，适用于各类碳化硅肖特基势垒二极管及相关器件的设计、制造与验收。本标准的制定填补了国内碳化硅二极管门类规范的空白，对促进半导体分立器件产业高质量发展、提升国产器件国际竞争力具有重要指导意义。本文系统梳理了标准立项背景、编制过程、主要技术内容及实施意义，并对未来标准体系的完善方向进行了展望。

关键词：碳化硅二极管；分立器件；门类规范；第三代半导体；标准立项；技术规范

Keywords:SiliconCarbideDiode;D