二硫化钼非晶硅异质结高速光电探测器研究.pdfVIP

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开放领域：光电子器件、

电气与、电子特性与材料、

电子器件

高性能二硫化钼非晶硅异质结光电探测

器

Mohd

R.

Esmaeili‑Rad

Sayeef

Salahuddin

加利福尼亚州伯克利市94720，加利福尼亚大学电气工程与计算机科学系。

收到

2013年2月27日

2013年7月

15日接受

2013年8月2日

二硫化钼（MoS2）等层状的一个重要用途在于制造新型异质结器件，以实现传统

无法达到的功能。本文展示了一种由MoS和非晶硅（a‑Si）制成的金属‑‑金

2

属异质结光电探测器，其上升和下降时间约为0.3毫秒。该器件的瞬态响应未出现持续性

（残余）光电导现象——这与传统非晶硅器件可能持续3‑5毫秒的特性不同，从而使该异质

结器件的响应速度提升约10倍。在商业成像系统采用的绿光波长下，测得光响应率达210

毫安/瓦，这比非晶硅及已