2026第三代半导体器件产业化进程与投资热点
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、第三代半导体器件产业概述与战略意义 5
1.1第三代半导体材料定义与核心特性 5
1.2全球能源结构转型与宽禁带半导体需求 8
1.32026年产业化进程的战略定位与里程碑 13
二、关键材料体系发展现状与趋势 16
2.1碳化硅(SiC)衬底与外延技术突破 16
2.2氮化镓(GaN)外延技术与衬底选择 20
三、核心器件制造工艺与技术瓶颈 22
3.1SiCMOSFET与IGBT的工艺对比 22
3.2GaNHEMT
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