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晶圆和芯片级光测试

使用IL/PDL测试系统解决偏振对准问题

用于光集成电路的半导体技术

在批量生产光通信器件时，采用光集成电路(PIC)和硅光技术可以降低生产成本和能耗，

并能制造更小尺寸的器件。随着数据中心的需求飞速增长，更进一步推动了此类光通信

器件的发展。这些技术还通过电路和光路的高度集成为实现新功能提供了新的途径。

与半导体电子行业一样，在早期阶段进行适当的测试和测量（例如晶圆级测试）非常重

要，这样可以避免加工和封装了不合格的器件之后却发现它们无法通过最终测试而浪费

极大的成本，也有助于对晶圆生产工艺进行控制和诊断。这个过程通常会实施参数测试

来表征材料和结构质量，包括采用电子仪器测量薄层电阻和电容，以及采用光学仪器测

量衰减和响应度。光测试通常还包括波长相关性以及光偏振与波导结构的对准。对于光

探测器和调制器等转发器件，表征器件的带宽时还必须考虑射频频率相关性。

偏振对准的挑战InP

在晶圆级测试中增加光测量需要使用光探头把光耦合到晶圆上或从晶圆耦合出来。仪器CMOS

通常通过光纤电缆连接。标准单模光纤(SMF)的标称纤芯直径为9µm，这个直径明显