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大尺寸氮化镓单晶衬底的氨热法与钠助熔剂法技术路线对比及产业化前景

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

氮化镓作为第三代半导体的核心代表，在光电与射频器件领域具有不可替代的战略地位。然而，受限于极性单晶生长的各向异性与苛刻的热力学条件，大尺寸、低位错密度的GaN单晶衬底制备始终是制约产业爆发的核心瓶颈。当前，氢化物气相外延（HVPE）虽占据市场主流，但位错密度难以突破106

在此背景下，能够实现真正同质外延、将位错密度降至104

全文遵循“数据→趋势→预测→建议”