原创力文档2026年北京大学VLSI设计往年考试真题回顾
姓名：__________考号：__________
一、单选题(共10题)
1.在VLSI设计中，晶体管的最小尺寸称为：()
A.金属线宽
B.晶体管沟道长度
C.晶体管栅极长度
D.晶体管源极宽度
2.VLSI设计中，CMOS工艺中的MOSFET是：()
A.源极和漏极都是金属的场效应晶体管
B.源极和漏极都是硅的场效应晶体管
C.栅极为金属，源极和漏极为硅的场效应晶体管
D.栅极为硅，源极和漏极为金属的场效应晶体管
3.在VLSI设计中，用于减少功耗的技术称为：()
A.
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