半导体器件物理 课件 第5章 小尺寸MOSFET的非理想效应.pptx

半导体器件物理

第五章小尺寸MOSFET的非理想效应

5.1影响阈值电压的非理想效应5.2影响直流特性的非理想效应5.3热载流子效应5.4其他一些非理想效应5.5MOSFET的等比例缩小

5.1影响阈值电压的非理想效应5.1.1短沟道效应——漏源电荷分享模型5.1.2窄沟道效应5.1.3漏致势垒降低（DIBL）效应

要点：5.1影响阈值电压的非理想效应本节将讨论直接影响MOSFET阈值电压的因素，包括源-漏耗尽区的电荷分享——短沟道效应、窄沟道效应以及漏致势垒降低（Drain-InducedBarrierLowering，DIBL）效应等。建立源漏