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- 2026-10-23 发布于广东
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证券研究报告存储测试机专题:AI算力催生HBM带动测试机新需求,国产设备商加速突破2026年7月2日
投资要点:?存储持续涨价两存上市在即,看好存储未来扩产持续性。自2024年底以来,在AI算力需求拉动下,DRAM与NANDFlash现货价格均进入快速上行通道,DDR4(8Gb)2024年底到2026年6月涨幅超17倍,DDR5(16Gb)2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。长鑫存储2025年营收618亿元,2026Q1营收同比+719%,产能利用率长期维持90%以上,资本开支持续高位。中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著,后续扩产空间广阔。?AI算力催生HBM需求,HBM成为AI芯片主流方案。AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍,Trendforce预计2026年达275万台。HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术,在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。2025年HBM市场基本由SK海力士(占据市场份额58.3%)、三星和美光占据,海外龙头已陆续实现HBM4量产,国内长鑫存储预计2027年实现HBM3e量产。?HBM堆叠对测试机提出KGSD等新需求,存储测试机需求量价齐升。HBM采用3D堆叠架构,测试重心前移至KGSD测试环节,测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上,存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍。
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