IEC 60747-5-16：2023 半导体器件.第5-16部分光电子器件.发光二极管.基于光电流光谱的GaN基发光二极管的平带电压的试验方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件第5-16部分：光电子器件发光二极管基于光电流光谱的GaN基发光二极管的平带电压的试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices-Part5-16:OptoelectronicDevices-LightEmittingDiodes-TestMethodoftheFlat-BandVoltageofGaN-basedLightEmittingDiodesBasedonthePhotocurrentSpectroscopy

摘要

氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）作为第三代半导体光电子器件的典型代表，已广泛应用于通用照明、新型显示、紫外固化、可见光通信等众多领域。平带电压是表征GaN基LED器件内部电场分布与界面特性的关键电学参数，直接影响器件的发光效率、可靠性和使用寿命。然而，长期以来国际范围内缺乏统一的GaN基LED平带电压测试方法标准，导致不同厂商和检测机构之间的测试结果缺乏可比性，制约了产业的技术交流与贸易往来。

IEC60747-5-16:2023《半导体器件第5-16部分：光电子器件发光二极管基于光电流光谱的GaN基发光二极管的平带电压的试验方法》由国际电工委员会（IEC）于2023年3月28日正式发