原创力文档2026第三代半导体衬底制备良率提升与成本下降路径
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TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、研究背景与目标 5
1.1第三代半导体衬底产业现状与2026年关键挑战 5
1.2研究目标：良率提升与成本下降路径量化分析 9
二、第三代半导体衬底技术路线全景 12
2.1SiC衬底主流技术路线（4H/6H晶型，n型/p型） 12
2.2GaN-on-Si与GaN-on-Sapphire衬底技术路线对比 15
2.3氧化镓（Ga2O3）与金刚石衬底前沿技术进展 17
三、衬底制备核心工艺流程分解 20
3.1SiC衬底制备
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