微电子专业基础期末考试试题及详细参考答案.docxVIP

微电子专业基础期末考试试题及详细参考答案

适用专业：微电子科学与工程

考试时长：120分钟

满分：100分

考试说明：闭卷考试，禁止携带资料，答案书写规范、步骤完整

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）

A.硅（Si）B.锗（Ge）C.砷化镓（GaAs）D.碳化硅（SiC）

2.本征半导体在室温下的载流子浓度主要取决于（）

A.掺杂浓度B.温度C.晶体缺陷D.外加电压

3.N型半导体的多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.电子和空穴

4.PN结正向导通的核心条件是（）

A.P区接负极、N区接正极B.P区接正极、N区接负极

C.两端加反向电压D.两端加零偏压

5.MOSFET器件中，沟道长度调制效应会导致的结果是（）

A.饱和区漏极电流恒定不变B.饱和区漏极电流随漏压增大而增大

C.截止区出现导电沟道D.阈值电压大幅漂移

6.下列工艺中，不属于半导体晶圆前道制程的是（）

A.光刻B.刻蚀C.封装D.离子注入

7.双极型晶体管（BJT）工作在放大区的偏置条件是（）

A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏

C.发射结、集电结均正偏D.发射结、集电结