TICMTIA-超高纯硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法编制说明.pdfVIP

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超高纯硅单晶中ⅢⅤ族杂质的

光致发光测试方法

编制说明

(征求意见稿)

江苏鑫华半导体科技股份有限公司

2026年7月

一．工作简况（包括任务来源、协作单位、主要工作过程）

1、任务来源

为补齐我国高端半导体超高纯硅材料超痕量杂质检测标准短板，解决现有检测标准灵敏

度不足、适配性有限、无法满足高端产业检测需求的行业痛点，完善半导体硅材料检测标准

体系，依托材料测试领域团体标准制修订工作安排，立项开展CSTM团体标准《超高纯硅

单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》的制定工作。本标准为首次制定，旨在建立适配

超高纯本征硅单晶的超痕量Ⅲ-Ⅴ族杂质精准检测方法，规范行业检测流程，助力高端半导

体硅材料产业高质量发展。

2、项目编制组单位及变化情况

编制组成员包括内蒙古鑫华半导体科技有限公司、国标（北京）检验认证有限公司