TICMTIA-超高阻电子级多晶硅编制说明.pdfVIP

CSTM团体标准《超高阻电子级多晶硅》编

制说明

（送审稿）

江苏鑫华半导体科技股份有限公司

2026年7月

一、工作简况

1.1任务来源

江苏鑫华半导体科技股份有限公司负责制定《超高阻电子级多晶硅》，立项号为

2026-2LX-ICMTI，本标准计划由集成电路联盟归口管理，完成年限2026年12月31日。

本标准为全新制定标准，无原主起草单位变更情况，由江苏鑫华半导体科技股份有限公

司牵头，联合行业相关单位共同起草。

1.2立项目的和意义

首先，制定该标准可填补国内专项标准空白。国内电子级多晶硅现行核心标准为GB/T

12963-2022《电子级多晶硅》，主要覆盖常规纯度产品，暂无针对11N及以上超高阻产品

的专项国家标准、行业标准；国际上，相关规范多分散于SEMI、ASTM等国际标准中，仅

针对常规电子级产品制定要求，无专门的超高阻电子级多晶硅专项标准，国际头部企业多执

行内部企业标准，形成技术壁垒，全球范围内缺少统一的超高阻产