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微电子学概论期末考试试题及详细参考答案

考试说明：本试卷满分100分，考试时间120分钟，闭卷考试。适用于微电子科学与工程、电子科学与技术等专业本科低年级课程考核。

一、单项选择题（共15小题，每小题2分，共30分）

1.下列材料中，属于典型半导体材料的是（）

A.铜B.硅C.玻璃D.橡胶

2.半导体硅晶体的晶格结构为（）

A.简单立方结构B.体心立方结构C.金刚石型结构D.面心立方结构

3.本征半导体在室温下的载流子来源主要是（）

A.杂质电离B.热激发产生电子-空穴对C.光激发D.电场激发

4.在硅半导体中，掺入硼元素可形成（）

A.N型半导体B.P型半导体C.本征半导体D.绝缘体

5.PN结正向偏置的条件是（）

A.P区接正、N区接负B.P区接负、N区接正C.两区等电位D.任意偏置均可

6.PN结的反向击穿特性中，高电压、低掺杂下主要发生的击穿是（）

A.齐纳击穿B.雪崩击穿C.热击穿D.隧道击穿

7.MOSFET器件的核心工作原理是控制（）实现导电沟道的开关

A.漏源电压B.栅极电压C.衬底电压D.体电压

8.下列不属于双极型晶体管（BJT）特点的是（）

A.电子、空穴共同导电B.